硅碳棒晶須是一種極端各向異性生長出的晶體，由于催化劑的作用，硅碳棒將沿某一方向擇優生長，最后得到的短纖維狀晶體。硅碳棒晶須可以采用多種方法進行制備，早期制備的硅碳棒晶須多采用有機硅化合物的分解及硅鹵化物和碳鹵化物或碳氫化合物反應來制備。例如分別通過分解CH3硅碳棒13和利用SiZCIb與CH4反應制備出p-硅碳棒晶須，晶須直徑為數個微米。隨著對硅碳棒晶須制備方法的認識不斷加深，生長出了直徑更小的硅碳棒納米棒和納米線。用碳納米管作模板，成功地合成了硅碳棒納米線，納米線直徑為2-30nm、長度達20gym;使用碳納米管受限法制備出了硅碳棒納米棒;利用硅碳棒14和Cl;為反應原料，在低溫高壓下，成功地合成了硅碳棒納米棒利用催化劑輔助高溫熱解聚合物合成硅碳棒納米棒;分解CH3硅碳棒13(溫度950-11000C、低壓條件下)合成了lC:納失終目前，以硅碳棒為代表的第三代寬禁帶半導體材料己逐漸成為材料領域的研究熱點。其中，對硅碳棒薄膜制備工藝方面的研究已取得了很大進展，但多年來研究主要集中于采用傳統的氣相或者液相外延生長硅碳棒薄膜，而忽略了這兩種方法本身的特點。例如:前面介紹同質外延時所提到，傳統的氣相外延，生長速度快，條件控制簡單，但不利于在封閉微管的同時，提高薄膜表面平整度以滿足硅碳棒半導體器件的需要;而傳統的液相外延生長，缺陷較少，結晶質量較高，但對設備要求較高，而且在薄膜生長過程中，生長條件不易控制。而氣體一液體一固體(VLS)自組裝生長以CVD生長方法為基礎，由于液相催化劑的加入，使得VLS自組裝生長同時具有了液相外延和氣相外延的優點。本論文圍繞硅碳棒的VLS自組裝生長，開展了以下幾個方面的工作。www.coxss.com